隨著科學技術(shù)的日益進步和發(fā)展，在國民經(jīng)濟的許多部門，如能源、動力、機械、醫(yī)藥、化工、輕工、冶金、建材等行業(yè)中都出現(xiàn)了越來越多的細微顆粒密切相關(guān)的技術(shù)問題有待解決，顆粒粒徑大小的測量是其中基本也是重要的一個方面。許多情況下，顆粒粒徑大小不僅直接影響到產(chǎn)品的性能與質(zhì)量，而且對工藝過程的優(yōu)化、能源消耗的降低、環(huán)境污染的減少等都有重大的關(guān)聯(lián)。 近年來，與高新技術(shù)、國防工業(yè)、軍事科學等密切相關(guān)的各種新型顆粒材料，特別是超細納米顆粒的問世和利用，給顆粒粒徑的測量提出了新的和更高的要求，不但要求快速、自動化數(shù)據(jù)處理、而且也要求提供可靠的更豐富的數(shù)據(jù)和更有用的信息，以滿足科研領(lǐng)域和工業(yè)質(zhì)量控制方面應用的需要。儀器集先進激光技術(shù)、半導體技術(shù)、光電技術(shù)、微電子技術(shù)和計算機技術(shù)的應用，綜合了光、機、電、計算機于一體，以光散射理論為基礎(chǔ)的顆粒粒徑測量技術(shù)突出的優(yōu)點逐步取代了一些傳統(tǒng)的常規(guī)測量方法，必將成為一代新穎的顆粒粒徑測量儀器。并且在科研領(lǐng)域和工業(yè)質(zhì)量控制的粒度分布分析中發(fā)揮著越來越大的作用。

本儀器符合但并不局限于以下標準：

ISO 13320-2009     G/BT 19077.1-2008 粒度分析 激光衍射法

技術(shù)參數(shù)：

1.   理論依據(jù):Mie散射理論

2.   粒徑測量范圍:0.1-200um

3.   光源:半導體制冷恒溫控制紅光固體激光光源，波長635nm

4.   重復性誤差:<1%（標準D50偏差）

5.   測量誤差:<1%（標準D50偏差，用國家標準顆粒檢驗）

6.   檢測器:32或48或64或更高通道硅光電二極管

7.   樣品池:滴樣法樣品池10mL；循環(huán)樣品池（500mL內(nèi)置超聲分散、攪拌裝置）

8.   測量分析時間：正常條件下小于1分鐘（從開始測量到顯示分析結(jié)果）

9.   輸出內(nèi)容：體積、數(shù)量微分分布和累積分布表和圖表；多種統(tǒng)計平均直徑；操作者信息；實驗樣品信息、分散介質(zhì)信息等。

10. 顯示方式：內(nèi)嵌10.8寸工業(yè)級別的電腦，可連接鍵盤、鼠標、U盤

11. 電腦系統(tǒng)：WIN 10系統(tǒng)，30GB硬盤容量、2GB系統(tǒng)內(nèi)存

12. 電源：220V，50 Hz

工作條件：

l  1.室內(nèi)溫度：15℃-35℃

l  2.相對溫度：不大于85%（無冷凝）

l  3.建議用交流穩(wěn)壓電源1KV，無強磁場干擾。

l  4.由于在微米級的范圍內(nèi)的測量，儀器應放在堅固可靠、無振動的工作臺上，并且在少塵條件下進行測量。

l  5.儀器不應放在太陽直射、風大或溫度變化大的場所。

l  6.設(shè)備必須接地，保證安全和高精度。

7.室內(nèi)應清潔、防塵、無腐蝕性氣體。